我的30W收入陷阱和中年危机

危机0.1C电流密度下循环3次后不同电解液中石墨表面的TEM图：原始石墨（c）。

【引言】最近，阱和随着物联网(IoT)和人工智能(AI)技术各种领域占据主导地位，对高转换速度、大存储容量、低功耗的下一代存储设备的需求大幅增加。因此，入陷迫切需要一种基于特定材料的新型LEM结构，促进光子系统和电阻开关之间的无缝集成，以克服这些挑战。

图5Ag/CsPbBr3 QDs/ITO器件功能的主动切换a）示意图说明了CsPbBr3 QDs基器件的双重功能，中年既可以是RRAM，通过改变偏置极性也可以是LEC。它们可以很容易地通过溶液方法进行处理，危机并可用于高可扩展应用的低成本、大规模生产的光电器件。其中，阱和由简单的金属/绝缘体/金属薄膜堆叠构成的非易失性电阻随机存取存储器（RRAM）是这场正在进行的数字革命的重要组成部分。

最近开发的光学可读存储器将传统的RRAM与发光二极管（LED）集成在一起，入陷以克服这个问题，入陷在RRAM的HRS和LRS直接识别的存在或没有电致发光（EL）从LED发射。中年d）CsPbBr3 QDs的(200)晶面的高分辨率TEM。

钙钛矿QD层中由电驱动的离子运动使这种结构既可以作为快速、危机可靠的电记忆体，危机也可以作为快速、高效的光源，更重要的是，通过简单地调制其偏置极性，就可以在同一结构的双重功能之间快速切换。

阱和b）CsPbBr3 QD基RRAM的典型I-V特性。入陷(C)计算水从纯水到ILC介质的自由能变化的热力学循环概述。

图6 通过MD计算得到了水和离子的输运性质，中年并定量比较了双连续和柱状结构之间的扩散和自由能分布(A)用OPLS-DFT和TIP3P进行MD计算得到的铵基阳离子、中年BF4阴离子和水分子的自扩散系数和(B)双连续和柱状结构的离子电导率。(E)在最终迭代步骤中阴离子、危机阳离子和阳离子内原子基团的电荷分布。

阱和(H,K)中的空间密度分布沿(C)和(F)中的y轴计算。入陷(D)水分子在ILC中的溶剂化自由能Δμin-ILC和(E)纯水介质与ILC之间的溶剂化自由能ΔΔμ的变化。